Preguntas frecuentes
¿Por qué R_DS(on) crece con la temperatura?
En MOSFETs de canal N la movilidad de los portadores (electrones) disminuye con la temperatura, lo que aumenta la resistencia del canal. Esto crea un coeficiente de temperatura positivo que favorece la operación en paralelo (los transistores se equilibran solos).
¿Cuándo usar un IGBT en lugar de un MOSFET?
A tensiones superiores a 600 V y frecuencias menores de 20-30 kHz los IGBT suelen ser más eficientes. Los MOSFET modernos de SiC o GaN superan a los IGBT a alta frecuencia incluso a tensiones altas.
¿Qué es el FOM (Figure of Merit) del MOSFET?
R_DS(on) × Q_gd es el FOM más usado: cuantifica el compromiso entre pérdidas de conducción y de conmutación. Menor FOM indica mejor dispositivo para fuentes de alta frecuencia.
¿Cómo afecta el inductor de malla a las pérdidas de conmutación?
Un inductor parasito en el circuito de corriente de conmutación (lead inductance) crea picos de tensión en la conmutación de apagado y puede aumentar los tiempos de conmutación efectivos, incrementando P_sw y el riesgo de avalancha.
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